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Si7172DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.16
0.14
I D = 5.9 A
10
0.12
0.10
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
T J = 25 °C
0.06
0.1
0.04
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
4
8
12
16
20
4.0
3.6
3.2
2. 8
2.4
2.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
8 0
60
40
20
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single P u lse Po w er
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
1s
10 s
0.01
0.001
T C = 25 °C
Single P u lse
DC
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100 1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68763
S-81730-Rev. A, 04-Aug-08
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